Toshiba выпустила новую серию Flash-памяти NAND с одноуровневыми ячейками (Single-Level Cell, SLC) плотностью от 512 Мбит до 64 Гбит. Чипы изготовлены по 43-нанометровому техпроцессу, что позволило удвоить плотность записи по сравнению с чипами, производимыми по 56-нанометровым нормам. Это максимально возможная на сегодняшний день плотность. Новые устройства будут доступны на рынке в первом квартале 2009 года.
Чипы SLC разработаны для применения в устройствах, требующих высокой скорости чтения и записи, - мобильных телефонах, LCD-панелях, серверах. Скорость записи у SLC-чипов в 2,5 раза выше, чем у чипов с многоуровневыми ячейками (Multi-Level Cell, MLC).

