IT-DailyРежим архива
 
 
 

Вернуться на все новости от 30 октября 2008 г.

Toshiba произвела Flash-память по 43-нанометровому технологическому процессу

Toshiba выпустила новую серию Flash-памяти NAND с одноуровневыми ячейками (Single-Level Cell, SLC) плотностью от 512 Мбит до 64 Гбит.

Toshiba выпустила новую серию Flash-памяти NAND с одноуровневыми ячейками (Single-Level Cell, SLC) плотностью от 512 Мбит до 64 Гбит. Чипы изготовлены по 43-нанометровому техпроцессу, что позволило удвоить плотность записи по сравнению с чипами, производимыми по 56-нанометровым нормам. Это максимально возможная на сегодняшний день плотность. Новые устройства будут доступны на рынке в первом квартале 2009 года.
 
Чипы SLC разработаны для применения в устройствах, требующих высокой скорости чтения и записи, - мобильных телефонах, LCD-панелях, серверах. Скорость записи у SLC-чипов в 2,5 раза выше, чем у чипов с многоуровневыми ячейками (Multi-Level Cell, MLC).

 



5 ноября 20081 ноября 200831 октября 2008
30 октября 2008
29 октября 200828 октября 200827 октября 200824 октября 200823 октября 200822 октября 200821 октября 2008