Вернуться на все новости от 26 ноября 2008 г.Компания IM Flash Technologies, совместное предприятие Intel и Micron Technology, начала массовое производство микросхем флеш-памяти типа NAND по 34-нанометровому технологическому процессу. К концу года по 34-нм процессу будет делаться половина всех схем, выпускаемых на заводе компании в штате Юта.
Основные производители сейчас массово выпускают микросхемы с нормами проектикования 40 нм и 45 нм. Эти цифры показывают минимальный размер транзисторов и других элементов микросхем.
По 34-нанометровому процессу IM Flash выпускает схемы памяти NAND объемом 32 Гбайта. Они предназначены для миниатюрных твердотельных дисков и карт памяти для цифровых фотокамер, проигрывателей и тому подобных устройств. В них используются многоуровневые ячейки (MLC), что, по сравнению с одноуровневыми (SLC), обеспечивает большее число циклов записи.
Крупнейшим в мире производителем флеш-памяти типа NAND является Samsung Electronics. В настоящее время она переводит производство на 42-нанометровый процесс, а в будущем году планирует внедрить и 30-нанометровый.
