Intel совершенствует технологии кремниевой фотоники

Исследователи Intel сообщили об очередном прорыве в области кремниевой фотоники (Silicon Photonics), установив мировой рекорд производительности с помощью системы на базе кремниевого лавинного фотодиода (Avalanche Photodetector, APD), обеспечивающего сокращение затрат и повышение быстродействия по сравнению с другими серийно выпускаемыми оптическими устройствам. Группа исследователей разработала кремниевый лавинный фотодиод - чувствительный фотодетектор, позволяющий обнаруживать световое излучение и усиливать слабые световые сигналы, направленные на кремниевый приемник. При разработке APD использовались кремниевые элементы и технологии CMOS. Усилитель допускает работу на частотах до 340 ГГц. Это наилучший результат из достигнутых на APD. Новое устройство позволяет создавать недорогие оптические линии со скоростью передачи данных 40 Гбит/с и выше. Впервые опытным путем доказано, что технология кремниевой фотоники может обеспечивать более высокое быстродействие по сравнению с более дорогими оптическими материалами, такими как фосфид индия.