Вернуться на все новости от 21 августа 2008 г.IBM совместно с AMD, Freescale, STMicroelectronics и Toshiba, а также Колледжем научных и прикладных исследований в области нанотехнологий создали первые в мире действующие элементы памяти типа SRAM с технологической нормой 22 нм. Образцы изготовлены из 300-мм подложек в одном из наиболее передовых в области нанотехнологий исследовательском комплексе в Олбани.
Размер ячейки статической памяти с произвольным доступом является ключевой технологической характеристикой в полупроводниковой отрасли, поскольку позволяет повышать плотность чипа SRAM, определяя в итоге размеры более сложных устройств, например микропроцессоров.
Технологическая норма 22 нм на два поколения опережает современный уровень полупроводникового производства. Следующее поколение чипов будет основано на технологической норме 32 нм. Изготовленная ячейка SRAM имеет обычную конструкцию на основе шести транзисторов и площадь всего 0,1 кв. мкм, что существенно меньше предшествующих ячеек этого типа.
